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| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | TW200715336 | 与半导体装置结合一体之场发射显示器及其制造方法 | 2007.04.16 | 一种与半导体装置结合一体之场发射显示器，包含：一矽基板，具有第一表面与第二表面；一场发射显示器，形成 |
| 2 | TWI223836 | 免背面薄化晶圆制程 | 2004.11.11 | 本发明系为一免背面薄化晶圆制程，主要于进行半导体元件制程前，即准备一薄形晶圆及一基底晶圆，此两晶圆先 |
| 3 | TW200639819 | 资料记录媒体用之玻璃碟片基板与轴承之制造方法及其结构 | 2006.11.16 | 一种资料记录媒体用之玻璃碟片基板与轴承之制造方法及其结构，其制造方法主要包含下列步骤：提供玻璃碟片基 |
| 4 | TWI240964 | 砷化镓晶棒之切片前制程 | 2005.10.01 | 本发明系关于一种砷化镓晶棒之切片前制程，主要系在晶棒进行切片前，先进行外圆轮磨，再作表面抛光处理，以 |
| 5 | TW200515613 | 发光二极体结构 | 2005.05.01 | 一种发光二极体结构，包含基板，缓冲层及发光二极体结构，其中缓冲层系形成于基板之上表面，而发光二极体结 |
| 6 | TW200511363 | 免背面薄化晶圆制程 | 2005.03.16 | 本发明系为一免背面薄化晶圆制程，主要于进行半导体元件制程前，即准备一薄形晶圆及一基底晶圆，此两晶圆先 |
| 7 | TW502311 | 绝缘层矽晶圆(SOI)之结构及其制法 | 2002.09.11 | 本发明系一种绝缘层矽晶圆(Silicon on Insulator,SOI)之结构及其结构，其主要系 |
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